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參數(shù)資料
| 型號： | M68AW512ML70ND6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）3.0V異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 13/19頁 |
| 文件大小： | 296K |
| 代理商： | M68AW512ML70ND6T |
13/19
M68AW512M
Figure 12. UB/LB Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. During this period DQ0-DQ15 are in output state and input signals should not be applied.
AI05843
tAVAV
tBHAX
tDVBH
DATA INPUT
A0-A18
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVBH
tBHDX
tBLBH
UB, LB
DATA
(1)
tAVBL
tELBH
tWLBH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW512MN55ND1T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512 | MS3106A36-403S |
| M68AW512D | 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512DL55ZB1T | 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M68AW512MN55ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN70ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN70ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AWS11AL55-NC6 | 制造商:STME 功能描述: |
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