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參數(shù)資料
| 型號： | M68AW512ML70ND1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）3.0V異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 10/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | M68AW512ML70ND1T |
M68AW512M
10/19
Figure 7. Address Controlled, Read Mode AC Waveforms
Note: E = Low, G = Low, W = High, UB = Low and/or LB = Low.
Figure 8. Chip Enable or Output Enable Controlled, Read Mode AC Waveforms.
Note: Write Enable (W) = High.
Figure 9. Chip Enable or UB/LB Controlled, Standby Mode AC Waveforms
AI05839
tAVAV
tAVQV
tAXQX
A0-A18
DQ0-DQ7 and/or DQ8-DQ15
VALID
DATA VALID
AI05840
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQV
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQZ
VALID
A0-A18
E
G
DQ0-DQ15
VALID
tBLQV
tBLQX
tBHQZ
UB, LB
AI03856
tPD
ICC
tPU
ISB
50%
E, UB, LB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW512ML70ND6T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND1T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512 | MS3106A36-403S |
| M68AW512D | 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M68AW512ML70ND6 | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| M68AW512ML70ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN70ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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