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參數(shù)資料
| 型號： | M68AW512ML55ND6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 8兆位（為512k × 16）3.0V異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | M68AW512ML55ND6T |
M68AW512M
12/19
Figure 10. Write Enable Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. During this period DQ0-DQ15 are in output state and input signals should not be applied.
Figure 11. Chip Enable Controlled, Write AC Waveforms
AI05841
tAVAV
tWHAX
tDVWH
DATA INPUT
A0-A18
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVWH
tWLWH
tAVWL
tWLQZ
tWHDX
tWHQX
tBLWH
UB, LB
tELWH
DATA
(1)
DATA
(1)
AI05842
tAVAV
tEHAX
tDVEH
A0-A18
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVEH
tAVEL
tELEH
tEHDX
DATA INPUT
tBLEH
UB, LB
tWLEH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW512ML70ND1T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512ML70ND6T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND1T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512 | MS3106A36-403S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M68AW512ML70ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512ML70ND6 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| M68AW512ML70ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW512MN55ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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