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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M68AW128ML70ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 2兆位（128K的× 16）3.0V異步SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/22頁(yè) |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | M68AW128ML70ZB6T |
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15/22
M68AW128M
Figure 13. UB/LB Controlled, Write AC Waveforms
Note: 1. During this period DQ0-DQ15 are in output state and input signals should not be applied.
AI04843
tAVAV
tBHAX
tDVBH
DATA INPUT
A0-A16
E
W
DQ0-DQ15
VALID
tAVBH
tBHDX
tBLBH
UB, LB
DATA
(1)
tAVBL
tELBH
tWLBH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AW128ML55ND1 | 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW128ML55ND1E | 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW128ML55ND1F | 2 Mbit (128K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW128M | Hex Inverters 14-TSSOP -40 to 85 |
| M68AW256M | 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M68AW256DL55ND1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256DL55ND6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256DL55ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
| M68AW256DL55ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM |
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