- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359083 > M58WR032FB60ZB6 (意法半導體) 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58WR032FB60ZB6 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位（含2Mb × 16，多銀行，突發(fā)）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 84/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1306K |
| 代理商： | M58WR032FB60ZB6 |
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M58WR032FT, M58WR032FB
84/86
Table 43. Command Interface States - Lock Table, Next Output
Note: 1. CI = Command Interface, CR = Configuration Register, EFP = Enhanced Factory Program, Quad EFP = Quadruple Enhanced Fac-
tory Program, P/E. C. = Program/Erase Controller.
2. EFP and Quad EFP exit when Block Address is different from first Block Address and data is FFFFh.
3. If the P/E.C. is active, both cycles are ignored.
4. Illegal commands are those not defined in the command set.
Current CI State
Command Input
Block
Lock-Down
Confirm
(2Fh)
Lock/CR
Setup
(3)
(60h)
OTP Setup
(3)
(C0h)
Block Lock
Confirm
(01h)
Set CR
Confirm
(03h)
EFP Exit,
Quad EFP
Exit
(2)
Illegal
Command
(4)
P/E. C.
Operation
Completed
Program Setup
Erase Setup
OTP Setup
Program in Erase
Suspend
EFP Setup
EFP Busy
EFP Verify
Quad EFP Setup
Quad EFP Busy
Lock/CR Setup
Lock/CR Setup in
Erase Suspend
Status Register
Output
Unchanged
Status Register
Array
Status Register
Output
Unchanged
OTP Busy
Status Register
Output Unchanged
Array
Output
Unchanged
Output
Unchanged
Ready
Status Register
Output Unchanged
Array
Output
Unchanged
Output
Unchanged
Program Busy
EraseBusy
Program/Erase
Program Busy in
Erase Suspend
Program Suspend in
Erase Suspend
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58WR032FB60ZB6E | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB60ZB6F | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB60ZB6T | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6 | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6E | 32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58WR032FB60ZB6E | 功能描述:閃存 32MB 1.8V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58WR032FB60ZB6F | 功能描述:閃存 32MB 1.8V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58WR032FB60ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR032FB70ZB6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit (2Mb x 16, Multiple Bank, Burst) 1.8V Supply Flash Memory |
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