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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW064B150T6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | M58LW064B150T6T |
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M58LW064A, M58LW064B
Figure 13. Synchronous Burst Read (8.1.1.1 example)
X-Latency = 8 (M14-M11 = 0010), Y-Latency = 1 (M9 = 0), Burst Length = 1 (M2-M0 = 100),
Burst Type = Any (M7 = 0 or 1), Valid Clock Edge = Rising (M6 = 1)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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