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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW032D110ZA1E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的× 8，功能的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 26/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | M58LW032D110ZA1E |
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M58LW032D
26/51
Table 14. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±5
μA
I
DD
Supply Current (Random Read)
E = V
IL
, f=5MHz
20
mA
I
DDO
Supply Current (Page Read)
E = V
IL
, f=33MHz
29
mA
I
DD1
Supply Current (Standby)
E = V
IH
, RP = V
IH
40
μ
A
I
DD5
Supply Current (Auto Low-Power)
E = V
IL
, RP = V
IH
40
μ
A
I
DD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = V
IL
40
μA
I
DD3
Supply Current (Program or Erase,
Block Protect, Block Unprotect)
Program or Erase operation in
progress
30
mA
I
DD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = V
IH
40
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
DDQ
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.2
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.2
V
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2
V
V
PENH
V
PEN
Supply Voltage (block erase,
program and block protect)
2.7
3.6
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW032D | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110N1E | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110N1F | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110N1T | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110N6 | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW032D110ZA1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110ZA6 | 功能描述:閃存 4Mx8 or 2Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW032D110ZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032D110ZA6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
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