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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW032D110N6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的× 8，功能的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 42/51頁 |
| 文件大小： | 748K |
| 代理商： | M58LW032D110N6 |
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M58LW032D
42/51
Figure 18. Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared (Clear Status Register Command) before further Program or Erase oper-
ations.
Write 20h
AI00613C
Start
Write D0h to
Block Address
Read Status
Register
YES
NO
SR7 = 1
YES
NO
SR3 = 0
NO
SR4, SR5 = 0
VPEN Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error
Erase command:
– write 20h
– write D0h to Block Address
(A12-A17)
(memory enters read Status
Register after the Erase command)
do:
– read status register
– if Program/Erase Suspend command
given execute suspend erase loop
while SR7 = 1
If SR3 = 1, VPEN invalid error:
– error handler
If SR4, SR5 = 1, Command Sequence error:
– error handler
YES
NO
SR5 = 0
Erase
Error (1)
YES
NO
Suspend
Suspend
Loop
If SR5 = 1, Erase error:
– error handler
YES
End
YES
NO
SR1 = 0
Erase to Protected
Block Error
If SR1 = 1, Erase to Protected Block Error:
– error handler
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PDF描述 |
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