參數(shù)資料
型號(hào)： M58LW032C90ZA1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
中文描述： 32兆位的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 31/61頁(yè)
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代理商： M58LW032C90ZA1T
31/61
M58LW032C
Table 14. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
±5
μA
I
DD
Supply Current (Random Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
add
= 6MHz
20
mA
I
DDB
Supply Current (Burst Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f
clock
= 50MHz
30
mA
I
DD1
Supply Current (Standby)
E = V
IH
, RP = V
IH
40
μ
A
I
DD5
Supply Current (Auto Low-Power)
E = V
IL
, RP = V
IH
40
μ
A
I
DD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = V
IL
40
μA
I
DD3
Supply Current (Program or Erase,
Block Protect, Block Unprotect)
Program or Erase operation in
progress
30
mA
I
DD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = V
IH
40
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
V
DDQ
x 0.3
V
V
IH
Input High Voltage
V
DDQ
x 0.7
V
DDQ
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 100μA
0.2
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
DDQ
–0.2
V
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LW032C90ZA1F 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032C90ZA1E 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032C90N6T 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032C90N6F 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032C90N6E 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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M58LW032C90ZA6E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
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M58LW032C90ZA6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
M58LW032CN 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory
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