- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359079 > M58BW016DB80ZA6T (意法半導(dǎo)體) 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58BW016DB80ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 16兆位512KB的X32號，引導(dǎo)塊，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/63頁 |
| 文件大小： | 895K |
| 代理商： | M58BW016DB80ZA6T |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁
1/63
May 2003
M58BW016BT, M58BW016BB
M58BW016DT, M58BW016DB
16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst)
3V Supply Flash Memories
PE4FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
DD
= 2.7V to 3.6V for Program, Erase and
Read
– V
DDQ
= V
DDQIN
= 2.4V to 3.6V for I/O Buffers
– V
PP
= 12V for fast Program (optional)
I
HIGH PERFORMANCE
– Access Time: 80, 90 and 100ns
– 56MHz Effective Zero Wait-State Burst Read
– Synchronous Burst Reads
– Asynchronous Page Reads
I
HARDWARE BLOCK PROTECTION
– WP pin Lock Program and Erase
I
SOFTWARE BLOCK PROTECTION
– Tuning Protection to Lock Program and
Erase with 64 bit User Programmable Pass-
word (M58BW016B version only)
I
OPTIMIZED for FDI DRIVERS
– Fast Program / Erase suspend latency
time < 6μs
– Common Flash Interface
I
MEMORY BLOCKS
– 8 Parameters Blocks (Top or Bottom)
– 31 Main Blocks
I
LOW POWER CONSUMPTION
– 5μA Typical Deep Power Down
– 60μA Typical Standby
– Automatic Standby after Asynchronous Read
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code M58BW016xT: 8836h
– Bottom Device Code M58BW016xB: 8835h
Figure 1. Packages
BGA
LBGA80 (ZA)
10 x 8 ball array
PQFP80 (T)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58BW016DT80T3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT80T6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT80ZA3T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DT80ZA6T | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58BW016DTZA | 16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58BW016DB8T3FF | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB8T3FT | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
| M58BW016DB8T3NS1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M58BW016DB8T3TNS | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M58BW016DB8ZA3FF | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。