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參數(shù)資料
| 型號： | M57959L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES |
| 中文描述： | 混合集成電路驅動IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | M57959L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M581A | M581A |
| M582A | M581A |
| M5M5J167KT | CMOS STATIC RAM |
| M5M5J167KT-70HI | CMOS STATIC RAM |
| M61111FP | Coil-less VIF/SIF |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M57962 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HYBRID IC FOR DRIVING IGBT MODULES |
| M57962AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:LGBT IC |
| M57962AL-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:LGBT IC |
| M57962CL-01 | 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| M57962K | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Hybrid Integrated Circuit For Driving IGBT Modules |
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