參數(shù)資料
型號(hào)： M52S16161A-10TG
廠(chǎng)商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PDSO50
封裝： 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù)： 8/29頁(yè)
文件大?。?/td> 770K
代理商： M52S16161A-10TG
ES MT
Extended Mode Register
BA
A10
A9
A8
1 0 0 0 0
M52S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.5
8/29
A7
A6
A5
A4
X
A3
X
A2
PASR
A1 A0 Address bus
Extended Mode Register Set x =Don’t care
DS
A2-A0
000
001
010
011
100
101
110
111
WT=0
2 Banks
1 Bank (Bank 0, BA=0)
1/2 Bank (BA=A10=0)
R
R
1/4 Bank (BA=A10=A9=0)
R
R
PASR
A6-A5
00
01
10
11
Driver Strength
Full Strength
1/2 Strength
1/4 Strength
R
DS
Remark R : Reserved
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M52S16161A-8BG 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S16161A-8TG 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A-10BG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A-10TG 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
M52S16161A-8BG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S16161A-8TG 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S32162A 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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M52S32162A_1 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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