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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M52D16161A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/29頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 771K |
| 代理商： | M52D16161A |
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ES MT
Mode Register
BA
A10
A9
A8
x x 1 0 0 LTMODE
0 0 0 0 0
M52D16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.5
7/29
A7
A6
A5
A4
A3
WT
A2
BL
A1 A0 Address bus
Burst Read and Single Write (for Write
Through Cache)
WT BL
Mode Register Set x =Don’t care
LTMODE
A2-A0
000
001
010
011
100
101
110
111
WT=0
1
2
4
8
R
R
R
Full page
WT=1
1
2
4
8
R
R
R
R
Burst length
0
1
Sequential
Interleave
Wrap type
A6-A4
CAS Latency
R
R
2
3
R
R
R
R
Remark R : Reserved
000
001
010
011
100
101
110
111
Latency mode
Mode Register Write Timing
Mode Register Write
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 制造商:ESMT 制造商全稱(chēng):Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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