參數(shù)資料
型號(hào)： M50FLW080AK5TP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
中文描述： 8兆位（13 × 64KB之座3 × 16 × 4KB的部門(mén)），3V電源固件集線器/低引腳數(shù)快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 42/64頁(yè)
文件大小： 341K
代理商： M50FLW080AK5TP
DC and AC parameters
M50FLW080A, M50FLW080B
42/64
DC characteristics
Table 24.
Symbol
Parameter
Interface
Test Condition
Min
Max
Unit
V
IH
Input High Voltage
FWH
0.5 V
CC
0.7 V
CC
–0.5
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
0.3 V
CC
0.8
V
A/A Mux
V
V
IL
Input Low Voltage
FWH/LPC
V
A/A Mux
-0.5
V
V
IH
(INIT) INIT Input High Voltage FWH/LPC
V
IL
(INIT) INIT Input Low Voltage
I
LI(1)
Input Leakage Current
IC, IDx Input Leakage
Current
1.1
V
CC
+ 0.5
0.2 V
CC
±10
V
FWH/LPC
–0.5
V
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
μA
I
LI2
IC, ID0, ID1, ID2, ID3
(2)
= V
CC
200
μA
R
IL
IC, IDx Input Pull Low
Resistor
20
100
k
V
OH
Output High Voltage
FWH/LPC
I
OH
= –500
μ
A
I
OH
= –100
μ
A
0.9 V
CC
V
CC
– 0.4
V
A/A Mux
V
V
OL
Output Low Voltage
FWH/LPC
I
OL
= 1.5mA
I
OL
= 1.8mA
0.1 V
CC
0.45
V
A/A Mux
V
I
LO
Output Leakage
Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±10
μA
V
PP1
V
PP
Voltage
3
3.6
V
V
PPH
V
PP
Voltage (Fast
Erase)
11.4
12.6
V
V
LKO(3)
V
CC
Lockout Voltage
1.8
2.3
V
I
CC1
Supply Current
(Standby)
FWH/LPC
FWH4/LFRAME = 0.9V
CC
, V
PP
= V
CC
All other inputs 0.9V
CC
to 0.1V
CC
V
CC
= 3.6V, f(CLK) = 33MHz
100
μA
I
CC2
Supply Current
(Standby)
FWH/LPC
FWH4/LFRAME = 0.1 V
CC
, V
PP
= V
CC
All other inputs 0.9 V
CC
to 0.1 V
CC
V
CC
= 3.6 V, f(CLK) = 33 MHz
10
mA
I
CC3
Supply Current (Any
internal operation
active)
FWH/LPC
V
CC
= V
CC
max, V
PP
= V
CC
f(CLK) = 33 MHz, I
OUT
= 0mA
60
mA
I
CC4
Supply Current (Read)
A/A Mux
G = V
IH
, f = 6MHz
20
mA
I
CC5(3)
Supply Current
(Program/Erase)
A/A Mux
Program/Erase Controller Active
20
mA
I
PP
V
PP
Supply Current
(Read/Standby)
V
PP
>
V
CC
400
μA
I
PP1(3)
V
PP
Supply Current
(Program/Erase active)
V
PP
= V
CC
V
PP
= 12V ± 5%
40
mA
15
mA
1.
Input leakage currents include High-Z output leakage for all bidirectional buffers with tri-state outputs.
2.
ID0 and ID1 are RFU in LPC mode.
3.
Sampled only, not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M50FLW080AN5P 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080AN5TP 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080ANB5P 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080ANB5TP 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FW080K5P 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M50FLW080AN5 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080AN5G 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 40TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
M50FLW080AN5P 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080AN5T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
M50FLW080AN5TG 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 40TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
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