參數(shù)資料
型號(hào)： M40Z111MH6TR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs
中文描述： 5V或3V NVRAM中的主管，直到兩名LPSRAMs
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
文件大小： 114K
代理商： M40Z111MH6TR
M40Z111, M40Z111W
6/15
Table 5. DC Characteristics
Note: 1. Valid for Ambient Operating Temperature: T
A
= –40 to 85°C; V
CC
= 4.5 to 5.5V or 2.7 to 3.6V (except where noted).
2. Outputs deselected.
Sym
Parameter
Test
Condition
(1)
M40Z111
M40Z111W
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
I
CC
Supply Current
Outputs open
3
6
2
4
mA
I
CCDR
Data Retention Mode
Current
150
150
nA
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
±1
μA
I
LO(2)
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
±1
μA
I
OUT1
V
OUT
Current (Active)
V
OUT
> V
CC
–0.3
160
100
mA
V
OUT
> V
CC
–0.2
100
65
mA
I
OUT2
V
OUT
Current (Battery
Back-up)
V
OUT
> V
BAT
–0.3
100
100
μA
V
BAT
Battery Voltage
2.0
3.0
3.5
2.0
3.0
3.5
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
V
CC
+ 0.3
2.0
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
–0.3
0.8
–0.3
0.8
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –2.0mA
2.4
2.4
V
V
OHB
V
OH
Battery Back-up
I
OUT2
= –1.0μA
2.0
2.9
3.6
2.0
2.9
3.6
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4.0mA
0.4
0.4
V
THS
Threshold Select Voltage
V
SS
V
OUT
V
SS
V
OUT
V
V
PFD
Power-fail Deselect
Voltage (THS = V
SS
)
4.50
4.60
4.75
2.80
2.90
3.00
V
Power-fail Deselect
Voltage (THS = V
OUT
)
4.20
4.35
4.50
2.50
2.60
2.70
V
V
SO
Battery Back-up
Switchover Voltage
3.0
V
PFD
–
100mV
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M40Z111WMH6 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs
M40Z111WMH6TR 5V OR 3V NVRAM SUPERVISOR FOR UP TO TWO LPSRAMs
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M40Z300AVMH1E 3V NVRAM Supervisor for Up to 8 LPSRAMs
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