參數(shù)資料
型號(hào)： M393T1G60CJA-CE6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DDR2 Registered SDRAM MODULE
中文描述： 注冊(cè)的DDR2 SDRAM內(nèi)存模塊
文件頁(yè)數(shù)： 16/26頁(yè)
文件大?。?/td> 618K
代理商： M393T1G60CJA-CE6
Rev. 1.4 November 2007
RDIMM
DDR2 SDRAM
16 of 26
(T
A
=0
o
C, VDD= 1.9V)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
F7(800@CL=6)
E6(667@CL=5)
D5(533@CL=4)
CC(400@CL=3)
Unit
Notes
IDD0
1620
1530
1440
1440
mA
IDD1
1800
1710
1620
1620
mA
IDD2P
270
270
270
270
mA
IDD2Q
810
810
810
720
mA
IDD2N
900
810
810
720
mA
IDD3P-F
810
720
630
630
mA
IDD3P-S
324
324
324
324
mA
IDD3N
1170
1080
1080
990
mA
IDD4W
2880
2430
2160
2070
mA
IDD4R
2880
2430
2160
1890
mA
IDD5B
3330
3240
3150
3060
mA
IDD6*
270
270
270
270
mA
IDD7
5400
5040
4680
4320
mA
(T
A
=0
o
C, VDD= 1.9V)
*
IDD6 = DRAM current + standby current of PLL and Register
** Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
F7(800@CL=6)
E6(667@CL=5)
D5(533@CL=4)
CC(400@CL=3)
Unit
Notes
IDD0
2310
2120
1930
1830
mA
IDD1
2570
2370
2170
2060
mA
IDD2P
910
850
790
730
mA
IDD2Q
1520
1430
1340
1160
mA
IDD2N
1470
1310
1240
1080
mA
IDD3P-F
1540
1350
1160
1060
mA
IDD3P-S
1054
954
854
754
mA
IDD3N
1730
1570
1500
1340
mA
IDD4W
3530
2990
2630
2450
mA
IDD4R
3670
3110
2730
2350
mA
IDD5B
4160
3920
3680
3440
mA
IDD6*
270
270
270
270
mA
IDD7
6430
5910
5390
4870
mA
11.4 M393T5660CZ3 / M393T5660CZA : 2GB(256Mx4 *18) Module
- considering Register and PLL current value
11.3 M393T5660CZ3 / M393T5660CZA : 2GB(256Mx4 *18) Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M393T5160CZ3-CD5 DDR2 Registered SDRAM MODULE
M393T5160CZA-CF7 DDR2 Registered SDRAM MODULE
M393T5660CZ3-CD5 DDR2 Registered SDRAM MODULE
M393T5660CZA-CF7 DDR2 Registered SDRAM MODULE
M393T5663CZ3 DDR2 Registered SDRAM MODULE
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參數(shù)描述
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M393T2863AZ3-CD5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Registered SDRAM MODULE
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