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參數(shù)資料
| 型號： | M38B45E4H-XXXXFP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | ATTNTR, VAR, 3DB, TEMP-COMP, SMD-3 |
| 中文描述： | 單芯片8位CMOS微機(jī) |
| 文件頁數(shù)： | 66/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 1214K |
| 代理商： | M38B45E4H-XXXXFP |
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66
38B4 Group
SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
MITSUBISHI MICROCOMPUTERS
Power Dissipation Calculating Example 2
(when 2 or more digit is turned ON at same
time)
G
Fixed number depending on microcomputer’s standard
V
OH
output fall voltage of high-breakdown port
2 V (max.); | Current value | = at 18 mA
Resistor value 43 V / 900
μ
A = 48 k
(min.)
Power dissipation of internal circuit (CPU, ROM, RAM etc.) = 5 V
15 mA = 75 mW
G
Fixed number depending on use condition
Apply voltage to V
EE
pin: Vcc – 45 V
Timing number 11; digit number 12; segment number 24
Ratio of Toff time corresponding Tdisp time: 1/16
Turn ON segment number during repeat cycle: 114
All segment number during repeat cycle: 264 (= 11
24)
Total number of built-in resistor: for digit; 10, for segment; 22
Digit pin current value: 18 (mA)
Segment pin current value: 3 (mA)
(1) Digit pin power dissipation
{18
12
(1–1/16)
2} / 11 = 36.82 mW
(2) Segment pin power dissipation
{3
114
(1–1/16)
2} / 11 = 58.30 mW
(3) Pull-down resistor power dissipation (digit)
(45 – 2)
2
/48
(12
10/12)
(1 – 1/16) / 11 = 32.84 mW
(4) Pull-down resistor power dissipation (segment)
(45 – 2)
2
/48
(114
22/24)
(1 – 1/16) / 11 = 343.08 mW
(5)
Internal circuit power dissipation (CPU, ROM, RAM etc.) = 75 mW
(1) + (2)+ (3) + (4) + (5) = 547 mW
Fig. 76 Digit timing waveform (2)
D
I
G
0
D
I
G
1
D
I
G
2
D
I
G
3
D
I
G
7
D
I
G
8
D
I
G
9
T
i
m
i
n
g
n
u
m
b
e
r
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
0
1
1
D
I
G
4
D
I
G
5
D
I
G
6
T
s
c
a
n
R
e
p
e
a
t
c
y
c
l
e
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| M38B45E9H-XXXXFP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
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