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參數(shù)資料
| 型號： | M378T6453FZ3-CE6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| 中文描述： | 無緩沖DDR2的內(nèi)存模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 15/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | M378T6453FZ3-CE6 |
Rev. 1.3 Aug. 2005
256MB, 512MB Unbuffered DIMMs
DDR2 SDRAM
Input/Output Capacitance
(V
DD
=1.8V, V
DDQ
=1.8V, T
A
=25
o
C)
* DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Units
Non-ECC
M378T3253FG(Z)3
M378T3253FG(Z)0
M378T6453FG(Z)3
M378T6453FG(Z)0
Input capacitance, CK and CK
CCK0
-
24
-
26
pF
CCK1
-
25
-
28
CCK2
-
25
-
28
Input capacitance, CKE and CS
CI
1
-
42
-
42
Input capacitance, Addr,RAS,CAS,WE
CI
2
-
42
-
42
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
-
6
-
10
ECC
Symbol
M391T3253FG(Z)3
M391T3253FG(Z)0
M391T6453FG(Z)3
M391T6453FG(Z)0
Units
Input capacitance, CK and CK
CCK0
-
25
-
28
pF
CCK1
-
25
-
28
CCK2
-
25
-
28
Input capacitance, CKE and CS
CI
1
-
44
-
44
Input capacitance, Addr,RAS,CAS,WE
CI
2
-
44
-
44
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
-
6
-
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M391T6453FZ3-CE6 | DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
| M378T3253FG3-CCC | RES 11K OHM 1/6W 5% CARBON FILM |
| M378T3253FG3-CD5 | RES 11 OHM 1/6W 5% CARBON FILM |
| M378T3253FG3-CE6 | RES 120K OHM 1/6W 5% CARBON FILM |
| M378T6453FG3-CCC | RES 12K OHM 1/6W 5% CARBON FILM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M378T6464EHS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 SDRAM Memory |
| M378T6464QZH3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 SDRAM Memory |
| M378T6553BG(Z)0-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:240pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 64/72-bit Non-ECC/ECC |
| M378T6553BG(Z)3-CD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:240pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 64/72-bit Non-ECC/ECC |
| M378T6553BG0-CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE |
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