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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L6423ETM-CCC4 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/19頁(yè) |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | M368L6423ETM-CCC4 |
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DDR SDRAM
Revision 1.0 December, 2003
256MB, 512MB DDR466 Unbuffered DIMM
j. Table 3 is used to increase tDS and tDH in the case where the I/O slew rate is below 0.5 V/ns. The I/O slew rate is based on the lesser
on the lesser of the AC - AC slew rate and the DC- DC slew rate. The inut slew rate is based on the lesser of the slew rates deter
mined by either VIH(ac) to VIL(ac) or VIH(DC) to VIL(DC), and similarly for rising transitions.
k. DQS, DM, and DQ input slew rate is specified to prevent double clocking of data and preserve setup and hold times. Signal transi
tions through the DC region must be monotony.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M368L6423ETN-A2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
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| M368L6423ETN-B0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6423ETN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
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