參數(shù)資料
型號(hào)： M368L6423DTM-CCC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
中文描述： 184pin緩沖模塊的256Mb的D為基礎(chǔ)的非ECC的模具64/72-bit / ECC的
文件頁(yè)數(shù)： 5/19頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： M368L6423DTM-CCC
DDR SDRAM
Revision 1.0 December, 2003
256MB, 512MB DDR466 Unbuffered DIMM
256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M368L3223ETM)
(Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D0
DM0
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D1
DM1
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D2
DM2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D3
DM3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D4
DM4
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D5
DM5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D6
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D7
DM7
CS0
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
DQS0
DQS
DQS4
DQS1
DQS5
DQS
DQS2
DQS
DQS3
DQS
DM6
DQS6
DQS7
DQS
DQS
DQS
DQS
V
SS
D0 - D7
D0 - D7
V
DD
/V
DDQ
D0 - D7
D0 - D7
VREF
V
DDSPD
SPD
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +
5%
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
3 SDRAMs
3 SDRAMs
2 SDRAMs
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D7
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE : DDR SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D7
*Clock Net Wiring
Card
Edge
D3/D0/D6
Cap/Cap/Cap
D4/D1/D7
Cap/Cap/Cap
D5/D2/Cap
Cap/Cap/Cap
R=120
Cap will replace DRAM
*If two DRAMs are loaded,
CK0/1/2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M368L6423DTM-LCC 184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L6423ETM DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L6423ETM-CCC4 DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L6423ETN-A2 DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L6423ETN-AA DDR SDRAM Unbuffered Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M368L6423DTM-CCC/C4 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L6423DTM-LCC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L6423DTM-LCC/C4 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC
M368L6423ETM 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module
M368L6423ETM-CC5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC
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