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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L3313DTL-CB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256MB DDR SDRAM MODULE (32Mx64(16Mx64*2 bank) based on 16Mx8 DDR SDRAM) |
| 中文描述： | 256MB的DDR SDRAM內(nèi)存模塊（32Mx64（16Mx64 * 2銀行）的基礎(chǔ)上16Mx8 DDR內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | M368L3313DTL-CB0 |
M368L3313DTL
Rev. 0.2 May.2002
184pin Unbuffered DDR SDRAM MODULE
Functional Block Diagram
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D0
DM0
DM
D8
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DM
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I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D1
DM
D9
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
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I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM1
DQ20
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DQ23
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DQ18
DQ19
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D2
DM
D10
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM2
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D3
DM
D11
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM3
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
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I/O 3
I/O 2
D4
DM4
DM
D12
I/O 0
I/O 1
I/O 6
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I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
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DQ43
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D5
DM
D13
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
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I/O 3
I/O 4
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DM5
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
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DQ49
DQ50
DQ51
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D6
DM
D14
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DM
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
D7
DM
D15
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM7
A0 - A13
A0-A13: SDRAMs D0 - D15
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D15
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D15
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D7
WE
WE: SDRAMs D0 - D15
CS0
CS1
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
CS
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
4 SDRAMs
6 SDRAMs
6 SDRAMs
CKE1
CKE: SDRAMs D8 - D15
BA0 - BA1
BA0-BA1: SDRAMs D0 - D15
DQS0
DQS
DQS4
DQS1
DQS5
DQS
DQS
DQS2
DQS
DQS
DQS3
DQS
DQS
DM6
DQS6
DQS7
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM resistors: 22 Ohms.
*Clock Net Wiring
Card
Edge
Dram1
Dram2
Dram4
*(Cap.)
Dram5
Dram6
R=120
Dram3
*(Cap.)
Cap will replace DRAM3,4
*If four DRAMs are loaded,
V
SS
D0 - D15
D0 - D15
V
DD
/V
DDQ
D0 - D15
D0 - D15
VREF
V
DDSPD
SPD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L3313DTL-CB3 | 256MB DDR SDRAM MODULE (32Mx64(16Mx64*2 bank) based on 16Mx8 DDR SDRAM) |
| M368L6423ETM-CC5 | 184pin Unbuffered Module based on 256Mb E-die 64/72-bit ECC/Non ECC |
| M368L6423FTN | 184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC |
| M368L6423FTN-CB3B0 | 184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC |
| M368L6423DTM-CCC | 184pin Unbuffered Module based on 256Mb D-die 64/72-bit Non ECC/ECC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L3313DTL-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256MB DDR SDRAM MODULE (32Mx64(16Mx64*2 bank) based on 16Mx8 DDR SDRAM) |
| M368L3324BT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L3324BTM-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L3324BTM-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L3324BTM-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
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