參數(shù)資料
型號： M30800MG-XXXGP
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
中文描述： 單片16位CMOS微機
文件頁數(shù)： 242/317頁
文件大?。?/td> 4621K
代理商： M30800MG-XXXGP
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deveopmen
Timing (Vcc = 3V)
Preliminary Specifications REV.D
Specifications in this manual are tentative and subject to change.
Mitsubishi microcomputers
M16C/80 (100-pin version) group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
242
Figure 1.28.15. V
CC
=3V timing diagram (1)
BCLK
ALE
-2ns.min
RD
25ns.max
-3ns.min
Hi-Z
DB
0ns.min
0ns.min
t
d(BCLK-ALE)
25ns.max
t
h(BCLK-ALE)
t
su(DB-BCLK)
40ns.min*1
t
d(BCLK-RD)
CSi
t
d(BCLK-CS)
25ns.max*1
ADi
BHE
t
h(BCLK-AD)
0ns.min
t
h(BCLK-CS)
0ns.min
tcyc
t
d(BCL25ns.max*1
0ns.min
t
ac1(AD-DB)*2
t
ac1(RD-DB)
=(tcyc/2-55)ns.max
t
ac1(AD-DB)
=(tcyc-55)ns.max
WR,WRL,
WRH
25ns.max
0ns.min
t
h(WR-DB)*3
BCLK
CSi
t
d(BCLK-CS)
25ns.max
ADi
BHE
t
d(BCLK-AD)
25ns.max
t
d(BCLK-ALE)
25ns.max
0ns.min
0ns.min
tcyc
t
d(DB-WR)*3
DBi
t
d(BCLK-WR)
ALE
-2ns.min
t
d(DB-WR)
=(tcyc-40)ns.min
t
h(WR-DB)
=(tcyc/2-20)ns.min
t
h(WR-AD)
=(tcyc/2-20)ns.min
t
h(WR-CS)
=(tcyc/2-20)ns.min
t
w(WR)
=(tcyc/2-20)ns.min
Vcc=3V
t
h(BCLK-RD)
t
h(RD-DB)
t
h(RD-AD)
t
h(RD-CS)
t
h(BCLK-WR)
t
h(BCLK-ALE)
t
h(BCLK-AD)
t
h(BCLK-CS)
t
h(WR-CS)*3
t
h(WR-AD)*3
t
ac1(RD-DB)*2
Read Timing
Write Timing ( Written by 2 cycles in selecting no wait)
*3:It depends on operation frequency.
Measuring conditions
V
CC
=3V±10%
Input timing voltage :Determined with V
IH
=1.5V, V
IL
=0.5V
Output timing voltage :Determined with V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
Memory expansion Mode and Microprocessor Mode (without wait)
*1:It is a guarantee value with being alone. 55ns.max garantees as t
d(BCLK-AD)
+t
su(DB-BCLK)
.
*2:It depends on operation frequency.
t
w(WR)*3
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