參數(shù)資料
型號: M30622SAFP
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
中文描述: 單片16位CMOS微機(jī)
文件頁數(shù): 208/276頁
文件大?。?/td> 3567K
代理商: M30622SAFP
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Mitsubishi microcomputers
M16C / 62 Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Timing (Vcc = 3V)
208
Read timing
Write timing
BCLK
CSi
ALE
RD
4ns.min
4ns.min
Hi–Z
DB
80ns.min
0ns.min
ADi
BHE
t
d(BCLK–WR)
60ns.max
t
h(BCLK–WR)
0ns.min
BCLK
CSi
t
d(BCLK–CS)
60ns.max
t
d(BCLK–AD)
60ns.max
ALE
t
h(BCLK–ALE)
–4ns.min
t
h(BCLK–CS)
4ns.min
tcyc
0ns.min
t
h(WR–CS)
0ns.min
t
h(WR–AD)
ADi
BHE
t
d(BCLK–DB)
80ns.max
4ns.min
t
h(BCLK–DB)
t
d(DB–WR)
(tcyc–80)ns.min
0ns.min
t
h(WR–DB)
DBi
t
h(RD–AD)
0ns.min
t
d(BCLK–ALE)
60ns.max
t
SU(DB–RD)
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(When accessing external memory area with wait)
Measuring conditions :
V
CC
=3V
Input timing voltage : Determined with V
IL
=0.48V, V
IH
=1.5V
Output timing voltage : Determined with V
OL
=1.5V, V
OH
=1.5V
WR,WRL,
WRH
t
d(BCLK–CS)
60ns.max
t
h(RD–CS)
tcyc
t
d(BCLK–AD)
60ns.max
t
h(BCLK–AD)
–4ns.min
t
h(BCLK–ALE)
60ns.max
t
d(BCLK–RD)
t
h(BCLK–RD)0ns.min
t
ac2(RD–DB)
t
h(RD–DB)0ns.min
t
h(BCLK–AD)
4ns.min
t
d(BCLK–ALE) 60ns.max
t
h(BCLK–CS)
V
CC
= 3V
Figure 1.26.10. V
CC
=3V timing diagram (4)
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PDF描述
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M30622SAGP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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