參數(shù)資料
型號： M30621FCMGP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 10 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP80
封裝： PLASTIC, QFP-80
文件頁數(shù)： 5/27頁
文件大?。?/td> 656K
代理商： M30621FCMGP
Electrical characteristics (Vcc = 3V)
Mitsubishi microcomputers
M16C / 62M (80-pin version) Group
(Low voltage version)
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
10
s
tSAMP
Sampling time
0.3
Min.
Typ.
Max.
tsu
RO
Resolution
Absolute accuracy
Setup time
Output resistance
Reference power supply input current
Bits
%
k
mA
IVREF
1.0
1.5
8
3
Symbol
Parameter
Measuring condition
Unit
20
10
4
s
(
Note)
Standard
Note 1: Connect AV CC pin to VCC pin and apply the same electric potential.
Note 2: Specify a product of -40
°C to 85°C to use it.
Page program time
Block erase time
Erase all unlocked blocks time
Lock bit program time
6
50
50 X n (Note)
6
120
600
600 X n (Note)
120
ms
Parameter
Standard
Min.
Typ.
Max
Unit
Note 1: This applies when using one D-A converter, with the D-A register for the unused D-A converter set to
“0016”.
The A-D converter's ladder resistance is not included.
Also, when DA register contents are not “00”, the current I VREF always flows even though Vref may have
been set to be unconnected by the A-D control register.
Note 2: Specify a product of -40
°C to 85°C to use it.
Note : n denotes the number of block erases.
RLADDER
Ladder resistance
s
9.8
10
VCC
40
Conversion time(8bit), sample & hold
function not available
tCONV
VREF = VCC
Standard
Min.
Typ.
Max
Resolution
Absolute accuracy, sample & hold function not available (8 bit)
Bits
LSB
VREF = VCC
±2
10
Parameter
Measuring condition
Unit
VREF = VCC = 3V,
φAD = f(XIN)/2
k
Reference voltage
V
VREF
2.4
VCC
Analog input voltage
VIA
V
0VREF
Symbol
VREF = VCC = 3V,
φAD =
f(XIN) =fAD/2 = 5MHz
VCC = 3V
Table 1.20.3. A-D conversion characteristics (referenced to VCC = AVCC = VREF = 2.4V to 3.6V, VSS =
AVSS = 0V at Ta = – 20oC to 85oC / – 40oC to 85oC(Note2), f(XIN) = 10MHz unless otherwise
specified)
Table 1.20.4. D-A conversion characteristics (referenced to VCC = 2.4V to 3.6V, VSS = AVSS = 0V,
VREF = 3V, at Ta = – 20oC to 85oC / – 40oC to 85oC(Note2), f(XIN) = 10MHz unless
otherwise specified)
Table 1.20.5. Flash memory version electrical characteristics
(referenced to VCC = 2.7V to 3.6V, at Ta =0oC to 60oC unless otherwise specified)
Table 1.20.6. Flash memory version program voltage and read operation voltage characteristics
(Ta =0oC to 60oC)
Flash program voltage
Flash read operation voltage
VCC=2.7V to 3.6V
VCC=2.4V to 3.6V
VCC=2.7V to 3.4V
VCC=2.2V to 2.4V
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PDF描述
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