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參數資料
| 型號： | M30610MCA |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| 中文描述： | 單片16位CMOS微機 |
| 文件頁數： | 170/197頁 |
| 文件大小： | 2673K |
| 代理商： | M30610MCA |
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Mitsubishi microcomputers
M16C / 61 Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Timing (Vcc = 3V)
170
Read timing
Write timing
BCLK
CSi
ALE
RD
4ns.min
4ns.min
Hi–Z
DB
80ns.min
0ns.min
ADi
BHE
t
d(BCLK–WR)
60ns.max
t
h(BCLK–WR)
0ns.min
BCLK
CSi
t
d(BCLK–CS)
60ns.max
t
d(BCLK–AD)
60ns.max
ALE
t
h(BCLK–ALE)
–4ns.min
t
h(BCLK–CS)
4ns.min
tcyc
0ns.min
t
h(WR–CS)
0ns.min
t
h(WR–AD)
ADi
BHE
t
d(BCLK–DB)
80ns.max
4ns.min
t
h(BCLK–DB)
t
d(DB–WR)
(tcyc–80)ns.min
0ns.min
t
h(WR–DB)
DBi
t
h(RD–AD)
0ns.min
t
d(BCLK–ALE)
60ns.max
t
SU(DB–RD)
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(When accessing external memory area with wait)
Measuring conditions :
V
CC
=3V
Input timing voltage : Determined with V
IL
=0.48V, V
IH
=1.5V
Output timing voltage : Determined with V
OL
=1.5V, V
OH
=1.5V
WR,WRL,
WRH
t
d(BCLK–CS)
60ns.max
t
h(RD–CS)
tcyc
t
d(BCLK–AD)
60ns.max
t
h(BCLK–AD)
–4ns.min
t
h(BCLK–ALE)
60ns.max
t
d(BCLK–RD)
t
h(BCLK–RD)0ns.min
t
ac2(RD–DB)
t
h(RD–DB)0ns.min
t
h(BCLK–AD)
4ns.min
t
d(BCLK–ALE) 60ns.max
t
h(BCLK–CS)
V
CC
= 3V
Figure 1.24.10. V
CC
=3V timing diagram (4)
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