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參數資料
| 型號： | M30610EC |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| 中文描述： | 單片16位CMOS微機 |
| 文件頁數： | 158/197頁 |
| 文件大?。?/td> | 2673K |
| 代理商： | M30610EC |
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Mitsubishi microcomputers
M16C / 61 Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Timing (Vcc = 5V)
158
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(When accessing external memory area with wait, and select multiplexed bus)
BCLK
CSi
ALE
RD
4ns.min
tcyc
ADi
BHE
ADi
/DBi
t
d(AD–ALE)
(tcyc/2-25)ns.min
Read timing
0ns.min
BCLK
CSi
ALE
–4ns.min
4ns.min
4ns.min
tcyc
ADi
BHE
ADi
/DBi
Write timing
Address
Measuring conditions :
V
CC
=5V
Input timing voltage : Determined with
V
IL
=0.8V, V
IH
=2.5V
Output timing voltage : Determined with V
OL
=0.8V, V
OH
=2.0V
(tcyc/2)ns.min
Address
Data input
(tcyc/2)ns.min
t
d(BCLK–ALE)
(tcyc/2)ns.min
t
h(WR–CS)
Address
(tcyc*3/2–40)ns.min
t
d(BCLK–ALE)
(tcyc/2)ns.min
Address
25ns.max
t
SU(DB–RD)
40ns.min
tac3(RD–DB)
(tcyc/2)ns.min
t
h(ALE–AD)
50ns.min
t
d(AD–RD)
0ns.min
t
dz(RD–AD)
8ns.max
t
d(AD–WR)
0ns.min
Data output
WR,WRL,
WRH
t
d(BCLK–CS)
25ns.max
t
h(RD–CS)
t
h(BCLK–CS)
4ns.min
t
h(BCLK–AD)
t
h(RD–DB)
0ns.min
25ns.max
t
d(BCLK–AD)
–4ns.min
t
h(BCLK–ALE)
t
d(BCLK–RD)
25ns.max
t
h(RD–AD)
t
h(BCLK–RD)
0ns.min
t
d(BCLK–CS)
25ns.max
t
h(BCLK–CS)
t
h(BCLK–DB)
4ns.min
t
h(WR–DB)
t
d(DB–WR)
t
h(BCLK–AD)
t
d(AD–ALE)
(tcyc/2–25)ns.min
t
d(BCLK–AD)
25ns.max
25ns.max
t
h(BCLK–ALE)
25ns.max
t
d(BCLK–WR)
t
h(BCLK–WR)
t
h(WR–AD)
t
d(BCLK–DB)
40ns.max
V
CC
= 5V
Figure 1.24.6. V
CC
=5V timing diagram (5)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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