- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370829 > M2V64S20BTP-6 (Mitsubishi Electric Corporation) 64M bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M2V64S20BTP-6 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/52頁 |
| 文件大小： | 674K |
| 代理商： | M2V64S20BTP-6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
Apr. '99
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.2)
M2V64S20BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT)
M2V64S30BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT)
M2V64S40BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT)
64M bit Synchronous DRAM
30
AVERAGE SUPPLY CURRENT from Vdd
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3 ± 0.3v, Vss = VssQ = 0v, Output Open, unless otherwise noted)
AC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS
(Ta=0 ~ 70'C, Vdd = VddQ = 3.3 ± 0.3v, Vss = VssQ = 0v, unless otherwise noted)
I
I
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits
Unit
Min.
Max.
VOH (DC)
High-Level Output Voltage (DC)
IOH=-2mA
2.4
V
VOL (DC)
Low-Level Output Voltage (DC)
IOL= 2mA
0.4
V
IOZ
Off-state Output Current
Q floating VO=0 ~ VddQ
-5
5
μA
Input Current (Note)
VIH = 0 ~ VddQ+0.3V
-5
5
μA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Limits (max)
Unit
Icc1
operating current
(one bank active)
tRC=min, tCLK=min,
BL=1, I
OL
=0mA
mA
mA
Icc4
burst current
all banks active, tCLK=min,
BL=4,
CL=3
, I
OL
=0mA
mA
Icc5
auto-refresh current
tRC=min, tCLK=min
mA
-7
-7L
110
2
150
22
125
110
2
150
25
140
-8A
Icc6
self-refresh current
CKE <0.2v
mA
-7L,-8L,-10L
mA
1
0.5
-7,-8,-8A,-10
1
Organi-
zation
x4/x8
x16
115
115
x4/x8/x16
x4/x8
x16
115
135
x4/x8/x16
x4/x8/x16
-8
-8L
110
2
150
22
125
1
0.5
115
115
x4/x8/x16
-10
-10L
85
2
115
22
125
1
0.5
90
115
precharge standby current
in power-down mode
Icc2P
Icc2PS
1
1
x4/x8/x16
1
1
CKE=VILmax, tCLK=15ns
CKE=CLK=VILmax(fixed)
precharge standby current
in non power-down mode
mA
x4/x8/x16
Icc2N
CKE=/CS=VIHmin, tCLK=15ns (Note)
Icc2NS
x4/x8/x16
CKE=VIHmin,CLK=VILmax (fixed)
mA
2
1
55
2
1
55
x4/x8/x16
2
1
55
2
1
45
active standby current
in power-down mode
Icc3P
Icc3PS
x4/x8/x16
CKE=VILmax, tCLK=15ns
CKE=CLK=VILmax(fixed)
active standby current
in non power-down mode
(one bank active)
mA
x4/x8/x16
Icc3N
CKE=/CS=VIHmin, tCLK=15ns (Note)
Icc3NS
x4/x8/x16
CKE=VIHmin,CLK=VILmax (fixed)
Note:
Input signals are changed one time during 30ns.
40
40
40
40
20
20
20
20
Note: All other pins not under test are 0V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V64S20BTP-7 | 64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-7L | 64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8 | 64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8A | 64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8L | 64M bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V64S20BTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-7L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8A | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。