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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S40TP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | M2V56S40TP |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
20
[ Read Interrupted by Burst Terminate ]
Similarly to the precharge, a burst terminate command can interrupt the burst read operation and
disable the data output. The terminated bank remains active. READ to TBST interval is minimum 1
CLK. A TBST command to output disable latency is equivalent to the /CAS Latency.
CLK
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Q1
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
TBST
READ
Q0
Q1
Command
DQ
TBST
READ
Q0
CL=2
CL=3
Read interrupted by Terminate (BL=4)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S40TP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20AKT | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-5 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20ATP-6 | 256M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S40TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S20BTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
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