參數(shù)資料
型號(hào)： M2S56D20ATP-75A
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
中文描述： 256M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 30/40頁(yè)
文件大?。?/td> 768K
代理商： M2S56D20ATP-75A
30
MITSUBISHI ELECTRIC
Mar. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM
(Rev.1.44)
M2S56D20/ 30/ 40ATP -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
M2S56D20/ 30/ 40AKT -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
BURST INTERRUPTION
[Read Interrupted by Read]
Burst read operation can be interrupted by the new Read command issued to any other bank.
Random column access is allowed. READ to READ interval is 1CLK as the minimum.
Read Interrupted by Read (BL=8, CL=2)
Command
A0-9,11
A10
BA0,1
DQ
Yi
READ READ
READ
READ
Yj
Yk
Yl
0
0
0
0
00
10
00
01
DQS
Qai0 Qai1 Qaj0 Qaj1
Qaj2 Qaj3 Qak0 Qak1 Qak2 Qak3 Qak4 Qak5 Qal0 Qal1 Qal2
Qal3 Qal4 Qal5 Qal6 Qal7
/CLK
CLK
[Read Interrupted by precharge]
Burst read operation can be interrupted by precharge of the same bank. READ to PRE interval is 1 CLK
minimum. The time between PRE command to output disable is equal to the CAS Latency. As a result,
READ to PRE interval determines valid data length to be outputted. The figure below shows the examples of
BL=8.
Read Interrupted by Precharge (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
PRE
READ
READ
PRE
READ PRE
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2S56D20ATP-75AL 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20ATP-75L 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20ATP75A 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30AKT 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30AKT-75A 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2S56D20ATP-75AL 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20ATP-75L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20TP-10 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D20TP-75 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
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