參數(shù)資料
型號: M29W800DB70ZE1E
廠商: 意法半導體
英文描述: 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 8兆(1兆x8或512KB的x16插槽,引導塊)3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 6/42頁
文件大?。?/td> 275K
代理商: M29W800DB70ZE1E
M29W800DT, M29W800DB
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Figure 3. SO Connections
Figure 4. TSOP Connections
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相關PDF資料
PDF描述
M29W800DB70ZE1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZE1T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZE6E 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZE6F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB70ZE6T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W800DB70ZE6 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZE6E 功能描述:閃存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W800DB70ZE6F 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DB70ZM6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS TFBGA