- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377822 > M29W800DB45ZE6T (意法半導(dǎo)體) 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W800DB45ZE6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 18/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZE6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當(dāng)前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
M29W800DT, M29W800DB
18/42
Table 7. Status Register Bits
Note: Unspecified data bits should be ignored.
Figure 8. Data Polling Flowchart
Figure 9. Data Toggle Flowchart
Operation
Address
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
RB
Program
Any Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program During Erase
Suspend
Any Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program Error
Any Address
DQ7
Toggle
1
–
–
0
Chip Erase
Any Address
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Block Erase before
timeout
Erasing Block
0
Toggle
0
0
Toggle
0
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
0
No Toggle
0
Block Erase
Erasing Block
0
Toggle
0
1
Toggle
0
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
1
No Toggle
0
Erase Suspend
Erasing Block
1
No Toggle
0
–
Toggle
1
Non-Erasing Block
Data read as normal
1
Erase Error
Good Block Address
0
Toggle
1
1
No Toggle
0
Faulty Block Address
0
Toggle
1
1
Toggle
0
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
at VALID ADDRESS
FAIL
PASS
AI03598
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5
= 1
D=
DATA
YES
NO
READ DQ6
START
READ DQ6
TWICE
FAIL
PASS
AI01370C
D=
TOGGLE
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLE
READ
DQ5 & DQ6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB70M1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70N1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB70M6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N3T | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB-70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。