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參數(shù)資料
| 型號： | M29W800DB45ZE6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 1/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZE6F |
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September 2004
M29W800DT
M29W800DB
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
–
V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase
and Read
ACCESS TIMES: 45, 70, 90ns
PROGRAMMING TIME
–
10μs per Byte/Word typical
19 MEMORY BLOCKS
–
1 Boot Block (Top or Bottom Location)
–
2 Parameter and 16 Main Blocks
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
–
Embedded Byte/Word Program
algorithms
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
–
Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
–
Faster Production/Batch Programming
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
COMMON FLASH INTERFACE
–
64 bit Security Code
LOW POWER CONSUMPTION
–
Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
–
Manufacturer Code: 0020h
–
Top Device Code M29W800DT: 22D7h
–
Bottom Device Code M29W800DB:
225Bh
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Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
TFBGA48 (ZA)
6 x 9 mm
FBGA
SO44 (M)
TFBGA48 (ZE)
6 x 8mm
FBGA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70M6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N3T | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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