參數(shù)資料
型號: M29W400DB45N6E
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 4兆位(512KB的x8或256Kb的x16插槽,引導(dǎo)塊)3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 21/22頁
文件大小: 146K
代理商: M29W400DB45N6E
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M29W400BT, M29W400BB
Figure 13. SO44 - 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Outline
Drawing is not to scale.
SO-b
E
N
CP
B
e
A2
D
C
L
A1
α
H
A
1
Table 21. SO44 - 44 lead Plastic Small Outline, 525 mils body width, Package Mechanical Data
Symbol
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.42
2.62
0.0953
0.1031
A1
0.22
0.23
0.0087
0.0091
A2
2.25
2.35
0.0886
0.0925
B
0.50
0.0197
C
0.10
0.25
0.0039
0.0098
D
28.10
28.30
1.1063
1.1142
E
13.20
13.40
0.5197
0.5276
e
1.27
0.0500
H
15.90
16.10
0.6260
0.6339
L
0.80
0.0315
α
3
°
3
°
N
44
44
CP
0.10
0.0039
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W400DB45N6F 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB45N6T 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB45ZA1E 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB45ZA1F 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W400DB45ZA1T 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W400DB45ZE6E 功能描述:閃存 4 MBIT 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W400DB45ZE6E_NUD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W400DB45ZE6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel
M29W400DB55N1 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W400DB55N3T 功能描述:IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ