參數(shù)資料
型號： M29W320DB70ZE1T
廠商： 意法半導體
英文描述： 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 25/46頁
文件大?。?/td> 853K
代理商： M29W320DB70ZE1T
25/46
M29W320DT, M29W320DB
Table 10. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
5
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
35
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/
Erase)
Program/
Erase
Controller
active
V
PP
/WP =
V
IL
or V
IH
20
mA
V
PP
/WP =
V
PP
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
PP
Voltage for
V
PP
/WP
Program Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
11.5
12.5
V
I
PP
Current for
V
PP
/WP
Program Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
10
mA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
1.8
2.3
V
相關PDF資料
PDF描述
M29W320DB70ZE6 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE6F 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB70ZE6T 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90N1E 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W320DB90N1F KPSE 16C 16#16 PIN RECP
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