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參數(shù)資料
| 型號： | M29W160DB70M6 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 36/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 333K |
| 代理商： | M29W160DB70M6 |
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M29W160DT, M29W160DB
36/44
Table 26. Device Geometry Definition
Address
Data
Description
Value
x16
x8
27h
4Eh
0015h
Device Size = 2
n
in number of bytes
2 MByte
28h
29h
50h
52h
0002h
0000h
Flash Device Interface Code description
x8, x16
Async.
2Ah
2Bh
54h
56h
0000h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
NA
2Ch
58h
0004h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing
contiguous Erase Blocks of the same size.
4
2Dh
2Eh
5Ah
5Ch
0000h
0000h
Region 1 Information
Number of identical size erase block = 0000h+1
1
2Fh
30h
5Eh
60h
0040h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0040h * 256 byte
16 Kbyte
31h
32h
62h
64h
0001h
0000h
Region 2 Information
Number of identical size erase block = 0001h+1
2
33h
34h
66h
68h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 Kbyte
35h
36h
6Ah
6Ch
0000h
0000h
Region 3 Information
Number of identical size erase block = 0000h+1
1
37h
38h
6Eh
70h
0080h
0000h
Region 3 Information
Block size in Region 3 = 0080h * 256 byte
32 Kbyte
39h
3Ah
72h
74h
001Eh
0000h
Region 4 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
3Bh
3Ch
76h
78h
0000h
0001h
Region 4 Information
Block size in Region 4 = 0100h * 256 byte
64 Kbyte
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160DB70M6E | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70M6F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70N1 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70N1E | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70N1F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W160DB70M6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70M6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70M6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160DB70N1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29W160DB70N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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