參數(shù)資料
型號： M29W040-200NZ5R
廠商： 意法半導體
英文描述： CAP RF 1.5PF 250V 0603 SMD
中文描述： 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座低電壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 19/31頁
文件大小： 205K
代理商： M29W040-200NZ5R
Symbol
Alt
Parameter
M29W040
Unit
-100
-120
V
CC
= 3.3V
±
0.3V
C
L
= 30pF
V
CC
= 3.3V
±
0.3V
Min
Max
Min
Max
t
WHQ7V1(2)
Write Enable High to DQ7Valid
(Program, W Controlled)
12
12
μ
s
t
WHQ7V2(2)
Write Enable High to DQ7Valid
(Block Erase, W Controlled)
1.5
30
1.5
30
sec
t
EHQ7V1
(2)
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
12
12
μ
s
t
EHQ7V2
(2)
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Block Erase, E Controlled)
1.5
30
1.5
30
sec
t
Q7VQV
Q7 Validto Output Valid(Data Polling)
45
50
ns
t
WHQV1
Write Enable High to Output Valid
(Program)
12
12
μ
s
t
WHQV2
Write Enable High to Output Valid
(Block Erase)
1.5
30
1.5
30
sec
t
EHQV1
Chip Enable High to Output Valid
(Program)
12
12
μ
s
t
EHQV2
Chip Enable High to Output Valid
(Block Erase)
1.5
30
1.5
30
sec
Notes:
1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
2. t
WHQ7V
is the Program or Erase time.
Table15A. Data Pollingand ToggleBit ACCharacteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
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M29W040
相關PDF資料
PDF描述
M29W040-100NZ5TR CAP RF 1.8PF 250V 0603 SMD
M29W040-120NZ5TR CAP RF 20PF 250V 0603 SMD
M29W040-150NZ5TR CAP RF 22PF 250V 0603 SMD
M29W040-200NZ5TR CAP RF 24PF 250V 0603 SMD
M29W040-100NZ6R CAP RF 27PF 250V 0603 SMD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W040-200NZ5TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040-200NZ6R 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040-200NZ6TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W040B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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