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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W00EB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x 8, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆× 8，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/43頁(yè) |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | M29W00EB |
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M29W008ET, M29W008EB
4 Command interface
19/43
Table 4.
Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
Parameter
Min
Typ
(1)(2)
1.
Typical values measured at room temperature and nominal voltages.
2.
Sampled, but not 100% tested.
Max
(2)
Unit
Chip Erase
12
60
(3)
3.
Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
after 100,00 program/erase cycles.
Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
.
s
Block Erase (64 KBytes)
0.8
6
(4)
4.
s
Erase Suspend Latency Time
15
25
(3)
μs
Program (Byte)
10
200
(3)
μs
Chip Program (Byte by Byte)
12
60
(3)
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M29W010B45K1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
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