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參數資料
| 型號： | M29KW064E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源LightFlash⑩記憶 |
| 文件頁數： | 25/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | M29KW064E |
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M29KW064E
Figure 15. TFBGA48 6x9mm - 8x6 ball array, 0.80 mm pitch, Bottom View Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 18. TFBGA48 6x9mm - 8x6 ball array, 0.80 mm pitch, Package Mechanical Data
millimeters
inches
Symbol
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.200
0.0079
A2
1.000
0.0394
b
0.400
0.350
0.450
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0.0138
0.0177
D
6.000
5.900
6.100
0.2362
0.2323
0.2402
D1
4.000
–
–
0.1575
–
–
ddd
0.100
0.0039
E
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8.900
9.100
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0.3504
0.3583
e
0.800
–
–
0.0315
–
–
E1
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–
–
0.2205
–
–
FD
1.000
–
–
0.0394
–
–
FE
1.700
–
–
0.0669
–
–
SD
0.400
–
–
0.0157
–
–
SE
0.400
–
–
0.0157
–
–
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z00
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W002BB | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W002BB55N1T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W002BB55N6T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W002BB70N1T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W002BB70N6T | 2 Mbit 256Kb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M29KW064E110N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E90N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29KW064E90ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply LightFlash⑩ Memory |
| M29LV800B | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
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