參數(shù)資料
型號： M29F800DB90N6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 16/39頁
文件大?。?/td> 622K
代理商： M29F800DB90N6T
23/39
Figure 13. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29F800D
Unit
55
70/ 90
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
Min
55
70
ns
tWLEL
tWS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Input Valid to Chip Enable High
Min
45
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
20
ns
tAVEL
tAS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
ns
tELAX
tAH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
45
ns
tGHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
ns
tEHGL
tOEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
ns
tEHRL
(1)
tBUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
ns
tVCHWL
tVCS
VCC High to Write Enable Low
Min
50
s
AI06156
E
G
W
A0-A18/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
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PDF描述
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參數(shù)描述
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M29F800DT55N6 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F800DT55N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F800DT70M1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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