- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359027 > M29F080D55M6T (意法半導(dǎo)體) 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M29F080D55M6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆× 8，統(tǒng)一座）5V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 28/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | M29F080D55M6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當(dāng)前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
M29F080D
28/36
Table 19. CFI Query System Interface Information
Note: 1. Not supported in the CFI
Address
Data
Description
Value
1Bh
45h
V
CC
Logic Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
4.5V
1Ch
55h
V
CC
Logic Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
5.5V
1Dh
00h
V
PP
[Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
00h not supported
NA
1Eh
00h
V
PP
[Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
00h not supported
NA
1Fh
04h
Typical timeout per single byte program = 2
n
μs
16μs
20h
00h
Typical timeout for minimum size write buffer program = 2
n
μs
NA
21h
0Ah
Typical timeout per individual block erase = 2
n
ms
1s
22h
00h
Typical timeout for full chip erase = 2
n
ms
see note (1)
23h
04h
Maximum timeout for byte program = 2
n
times typical
256μs
24h
00h
Maximum timeout for write buffer program = 2
n
times typical
NA
25h
03h
Maximum timeout per individual block erase = 2
n
times typical
8s
26h
00h
Maximum timeout for chip erase = 2
n
times typical
see note (1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F080D55N1T | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F080D55N6T | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F080D70M1T | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F080D70M6T | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F080D70N | 8 Mbit (1Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F080D55N6 | 功能描述:閃存 8M (1Mx8) 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F080D70M1 | 功能描述:閃存 SO-44 8M (1MX8) 70NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F080D70M6 | 功能描述:閃存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F080D70N1 | 功能描述:閃存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F080D70N6 | 功能描述:閃存 8M (1Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。