參數(shù)資料
型號： M29F016D70N1E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO40
封裝： 10 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-40
文件頁數(shù)： 10/37頁
文件大?。?/td> 707K
代理商： M29F016D70N1E
Obsolete
Product(s)
- Obsolete
Product(s)
18/37
Table 9. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤VIN ≤VCC
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤VOUT ≤VCC
±1
A
ICC1
Supply Current (Read)
E = VIL, G = VIH, f = 6MHz
20
mA
ICC2
Supply Current (Standby) TTL
E = VIH
2mA
ICC3
Supply Current (Standby) CMOS
E = VCC ± 0.2V,
RP = VCC ±0.2V
150
A
ICC4
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
2
VCC + 0.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 5.8mA
0.45
V
VOH
Output High Voltage TTL
IOH = –2.5mA
2.4
V
Output High Voltage CMOS
IOH = –100A
VCC – 0.4
V
VID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
IID
Identification Current
A9 = VID
100
A
VLKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29F100B-150M3TR 128K X 8 FLASH 5V PROM, 150 ns, PDSO44
M29F200B-90XM3 256K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44
M29F400BB55MT3 256K X 16 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO44
M29F400BB90MT3E 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44
M29F400BT70MT6T 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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M29F016D70N6 功能描述:閃存 16M (2Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F016D70N6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH UNIFORM BLOCK 16MB 29F016
M29F016D70N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
M29F016D90M1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
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