參數(shù)資料
型號： M29F016D70M6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（含2Mb × 8，統(tǒng)一座）5V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 29/37頁
文件大小： 536K
代理商： M29F016D70M6T
29/37
M29F016D
Table 19. Device Geometry Definition
Address
Data
Description
Value
27h
15h
Device Size = 2
n
in number of bytes
2 MByte
28h
29h
00h
00h
Flash Device Interface Code description
x8 only
Async.
2Ah
2Bh
00h
00h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
NA
2Ch
01h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
1
2Dh
2Eh
1Fh
00h
Region 1 Information
Number of identical size erase block = 001Fh+1
32
2Fh
30h
00h
01h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 Kbyte
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29F016D90M1T 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
M29F016D90M6T 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
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M29F016D90N6T 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
M29F016D70N6T Excalibur JFET-Input High-Output-Drive uPower Quad Operational Amplifier 14-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29F016D70N1 功能描述:閃存 16M (2Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F016D70N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
M29F016D70N6 功能描述:閃存 16M (2Mx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F016D70N6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH UNIFORM BLOCK 16MB 29F016
M29F016D70N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory
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