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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW640D90ZA1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（8兆x8或4Mb的x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 24/56頁 |
| 文件大小： | 942K |
| 代理商： | M29DW640D90ZA1 |
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M29DW640D
24/56
Table 8. Status Register Bits
Note: 1. Unspecified data bits should be ignored.
2. Figures
15
and
16
describe Toggle and Alternative Toggle Bits timing waveforms.
Figure 7. Data Polling Flowchart
Figure 8. Toggle Flowchart
Note: BA = Address of Bank being Programmed or Erased.
Operation
Address
DQ7
DQ6
DQ5
DQ3
DQ2
RB
Program
Bank Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program During Erase
Suspend
Bank Address
DQ7
Toggle
0
–
–
0
Program Error
Bank Address
DQ7
Toggle
1
–
–
Hi-Z
Chip Erase
Any Address
0
Toggle
0
1
Toggle
Hi-Z
Block Erase before
timeout
Erasing Block
0
Toggle
0
0
Toggle
0
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
0
No Toggle
0
Block Erase
Erasing Block
0
Toggle
0
1
Toggle
Hi-Z
Non-Erasing Block
0
Toggle
0
1
No Toggle
0
Erase Suspend
Erasing Block
1
No Toggle
0
–
Toggle
Hi-Z
Non-Erasing Block
Data read as normal
Hi-Z
Erase Error
Good Block Address
0
Toggle
1
1
No Toggle
0
Faulty Block Address
0
Toggle
1
1
Toggle
0
READ DQ5 & DQ7
at VALID ADDRESS
START
READ DQ7
at VALID ADDRESS
FAIL
PASS
AI07760
D=
DATA
YES
NO
YES
NO
DQ5 = 1
D=
DATA
YES
NO
READ DQ6
ADDRESS = BA
START
READ DQ6
TWICE
ADDRESS = BA
FAIL
PASS
AI08929b
D=
TOGGLE
NO
NO
YES
YES
DQ5
= 1
NO
YES
D=
TOGGLE
READ
DQ5 & DQ6
ADDRESS = BA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M29DW640D90N6E | 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29DW640D90N6 | 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
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