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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29DW323DB70ZE6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，雙行8時(shí)24分，啟動(dòng)塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/49頁(yè) |
| 文件大小： | 818K |
| 代理商： | M29DW323DB70ZE6E |
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M29DW323DT, M29DW323DB
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating measure-
ment conditions, and the DC and AC characteris-
tics of the device. The parameters in the DC and
AC characteristics Tables that follow, are derived
from tests performed under the Measurement
Conditions summarized in Table 10, Operating
and AC Measurement Conditions. Designers
should check that the operating conditions in their
circuit match the operating conditions when rely-
ing on the quoted parameters.
Table 10. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 10. AC Measurement I/O Waveform
Figure 11. AC Measurement Load Circuit
Table 11. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29DW323D
Unit
70
90
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
V
Ambient Operating Temperature
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
30
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CC
0 to V
CC
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
CC
/2
V
CC
/2
V
AI05557
VCC
0V
VCC/2
AI05558
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCC
25k
VCC
0.1μF
VPP
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW323DT90ZE6E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DT70ZE1E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DB70ZE1E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DT90ZE1E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DB90ZE1E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW323DB70ZE6F | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW323DB70ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA |
| M29DW323DB70ZE6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 8:24, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29DW323DB7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel |
| M29DW323DB7AN6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
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