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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F70ZA6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 56/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 719K |
| 代理商： | M29DW128F70ZA6E |
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10 DC and AC parameters
M29DW128F
56/93
Table 26.
Read AC Characteristics
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29DW128F
Unit
60
70
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
60
70
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
60
70
ns
t
AVQV1
t
PAGE
Address Valid to Output Valid (Page)
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
ELQX(1)
1.
Sampled only, not 100% tested.
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
60
70
ns
t
GLQX(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
20
25
ns
t
EHQZ(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
25
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
25
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
(2)
2.
TSOP56 package only.
Max
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
(2)
Max
25
25
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
(2)
Max
30
30
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F70ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70ZA1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70ZA1F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70ZA1E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70ZA1 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW128F70ZA6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F70ZA6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128G | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory |
| M29DW128G60NF6E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory |
| M29DW128G60NF6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (8 Mb x 16, multiple bank, page, dual boot) 3 V supply Flash memory |
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