- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359018 > M28W160ECT85ZB6F (意法半導(dǎo)體) 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28W160ECT85ZB6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/50頁(yè) |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT85ZB6F |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)當(dāng)前第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)
27/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Table 17. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W160EC
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
t
AVEH
t
AS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
EHAX
t
AH
Chip Enable High to Address
Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
EHGL
Chip Enable High to Output Enable
Low
Min
25
25
30
30
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
QVVPL
(1,2)
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
0
ns
t
QVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
0
0
0
ns
t
VPHEH
(1)
t
VPS
V
PP
High to Chip Enable High
Min
200
200
200
200
ns
t
WLEL
t
CS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
45
50
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160ECT90ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90ZB6U | 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V |
| M28W160B-GBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160B-ZBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160BT90ZB1T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W160ECT85ZB6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85ZB6U | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90N1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。