參數(shù)資料
型號(hào)： M28W160ECT70ZB6S
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 37/50頁(yè)
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160ECT70ZB6S
37/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Table 28. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0015h
Device Size = 2
n
in number of bytes
2 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0002h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
4
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M
2Dh
2Eh
001Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
M
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
001Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W160ECT70ZB6T 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6U 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1E 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1F 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M28W160ECT70ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT70ZB6U 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
M28W160ECT85N1 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160ECT85N1F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*