參數(shù)資料
型號(hào)： M28W160BTT100N6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Flash Memory
中文描述： 16兆1兆x16插槽，低電壓?jiǎn)?dòng)座快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 25/50頁(yè)
文件大?。?/td> 860K
代理商： M28W160BTT100N6T
25/50
M28W160ECT, M28W160ECB
Table 16. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W160EC
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
t
AVWH
t
AS
Address Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Valid to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
ELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
QVVPL
(1,2)
Output Valid to V
PP
Low
Min
0
0
0
0
ns
t
QVWPL
Output Valid to Write Protect Low
Min
0
0
0
0
ns
t
VPHWH
(1)
t
VPS
V
PP
High to Write Enable High
Min
200
200
200
200
ns
t
WHAX
t
AH
Write Enable High to Address Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Data Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEL
Write Enable High to Chip Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
20
20
30
30
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
25
25
30
30
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
t
WPHWH
Write Protect High to Write Enable High
Min
45
45
50
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M28W160CB90N1S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB90N1T 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB90ZB1S 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CB90ZB1T 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M28W160CT 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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M28W160BTT90GB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Flash Memory
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