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參數(shù)資料
| 型號： | M28C64X-150N1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| 中文描述： | 64千位8KB的x8并行的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 6/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | M28C64X-150N1 |
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M28C64C
Unit
-150
-200
-250
min
max
min
max
min
max
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to
Output Valid
E = V
IL
, G = V
IL
150
200
250
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to
Output Valid
G = V
IL
150
200
250
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to
Output Valid
E = V
IL
75
100
110
ns
t
EHQZ(1)
t
DF
Chip Enable High to
Output Hi-Z
G = V
IL
0
50
0
60
0
65
ns
t
GHQZ(1)
t
DF
Output Enable High to
Output Hi-Z
E = V
IL
0
50
0
60
0
65
ns
t
AXQX
t
OH
Address Transition to
Output Transition
E = V
IL
, G = V
IL
0
0
0
ns
Note:
1. Output Hi-Z is defined as the point at which datais no longer driven.
Table8. ReadMode AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to85
°
C, V
CC
= 4.5V to 5.5V)
AI00749B
VALID
tAVQV
tAXQX
tGLQV
tEHQZ
tGHQZ
DATA OUT
A0-A12
E
G
DQ0-DQ7
tELQV
Hi-Z
Figure 7. ReadMode AC Waveforms
Note:
WriteEnable (W) = High
6/15
M28C64C, M28C64X
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28C64X-150MS6 | 64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28F101-70XK1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-90XK1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XK1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120XK1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28C64X-150N6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64X-150P1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64X-150P6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64X-200K1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
| M28C64X-200K6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit 8Kb x8 Parallel EEPROM |
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