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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M27W800-100F6TR |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM |
| 中文描述： | 8兆1兆× 8或512KB × 16低壓紫外線存儲(chǔ)器和OTP存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | M27W800-100F6TR |
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M27W800
4/15
Table 5. AC Measurement Conditions
High Speed
Standard
Input Rise and Fall Times
≤
10ns
≤
20ns
Input Pulse Voltages
0 to 3V
0.4V to 2.4V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.5V
0.8V and 2V
Figure 3. AC Testing Input Output Waveform
AI01822
3V
High Speed
0V
1.5V
2.4V
Standard
0.4V
2.0V
0.8V
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI01823B
1.3V
OUT
CL
CL = 30pF for High Speed
CL = 100pF for Standard
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 6. Capacitance
(1)
(T
A
= 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance (except BYTEV
PP
)
V
IN
= 0V
10
pF
Input Capacitance (BYTEV
PP
)
V
IN
= 0V
120
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| M28C16-20NS6 | 16 Kbit 2Kb x8 Parallel EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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